Questo blog parlerà di una svolta nel mondo dell’elettronica: un metodo per fabbricare in modo affidabile transistor a effetto di campo dicalcogenuro di metallo di transizione su scala wafer. Questo metodo è stato sviluppato dai ricercatori come un modo innovativo per creare elettronica flessibile ad alte prestazioni e consentirà l’integrazione di un gran numero di dispositivi a transistor per unità di superficie.
Questi tipi di transistor semiconduttori, noti come bidimensionali (2D) dichalcogenides metal di transizione (TMD), vengono creati utilizzando un processo chiamato integrazione verticale tridimensionale (3D). Questa tecnica prevede l’epitassia di una struttura multistrato a scala di wafer composta da MoS2, che deve avere un numero controllato di strati e possedere un’elevata qualità elettronica. La capacità di produrre tali componenti in modo affidabile è importante per molte applicazioni, come la tecnologia CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor).
Lo sviluppo di questo metodo è stato raggiunto attraverso rigorose ricerche e test e la sua implementazione di successo ha consentito la fabbricazione di FET a semiconduttore 2D con capacità senza precedenti. Inoltre, ha aperto numerose possibilità per la creazione di elettronica ad alta efficienza energetica che può essere utilizzata in vari settori, come quello automobilistico e aerospaziale.
Il nuovo approccio sviluppato dai ricercatori è già stato testato in laboratorio con risultati incoraggianti. Si prevede che questa tecnologia sarà presto implementata su scala industriale, fornendo ai produttori un modo efficiente ed economico per produrre componenti elettronici di alta qualità. Si tratta di uno sviluppo entusiasmante che potrebbe rivoluzionare molti aspetti della vita moderna, rendendo più semplice e conveniente la creazione di dispositivi potenti con capacità prestazionali impressionanti.